CSpace  > 数学所
Global existence and exponential stability of smooth solutions to a full hydrodynamic model to semiconductors
Hsiao, L; Jiang, S; Zhang, P
2002-08-01
发表期刊MONATSHEFTE FUR MATHEMATIK
ISSN0026-9255
卷号136期号:4页码:269-285
摘要We study a full hydrodynamic semiconductor model in multi-space dimension. The global existence of smooth solutions is established and the exponential stability of the solutions as t-->infinity is investigated.
关键词hydrodynamic semiconductor equations global existence large-time behavior
DOI10.1007/s00605-002-0485-0
语种英语
WOS研究方向Mathematics
WOS类目Mathematics
WOS记录号WOS:000177927000001
出版者SPRINGER WIEN
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文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.amss.ac.cn/handle/2S8OKBNM/17367
专题数学所
通讯作者Hsiao, L
作者单位1.Chinese Acad Sci, Acad Math & Syst Sci, Beijing 100080, Peoples R China
2.Inst Appl Phys & Computat Math, LCP, Beijing 100088, Peoples R China
推荐引用方式
GB/T 7714
Hsiao, L,Jiang, S,Zhang, P. Global existence and exponential stability of smooth solutions to a full hydrodynamic model to semiconductors[J]. MONATSHEFTE FUR MATHEMATIK,2002,136(4):269-285.
APA Hsiao, L,Jiang, S,&Zhang, P.(2002).Global existence and exponential stability of smooth solutions to a full hydrodynamic model to semiconductors.MONATSHEFTE FUR MATHEMATIK,136(4),269-285.
MLA Hsiao, L,et al."Global existence and exponential stability of smooth solutions to a full hydrodynamic model to semiconductors".MONATSHEFTE FUR MATHEMATIK 136.4(2002):269-285.
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